產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
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DMG6602SVT-7 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：DMG6602SVT-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計
- FET類型：N 和 P 溝道
- FET功能：邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3.4A，2.8A
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 3.1A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：400pF @ 15V
- 功率-最大值：840mW
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
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