產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺(tái)）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-TSSOP（0.173，4.40mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
- 豐富的Diodes公司產(chǎn)品，Diodes芯片采購(gòu)平臺(tái)
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DMG8822UTS-13 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：DMG8822UTS-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺(tái)半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：2 N 溝道（雙）共漏
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：4.9A（Ta）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：25 毫歐 @ 8.2A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：9.6nC @ 4.5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：841pF @ 10V
- 功率-最大值：870mW
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-TSSOP（0.173，4.40mm 寬）
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