產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerTDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
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DMT10H017LPD-13 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：DMT10H017LPD-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：54.7A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：17.4 毫歐 @ 17A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：28.6nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1986pF @ 50V
- 功率-最大值：2.2W（Ta），78W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerTDFN
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