產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：FET - 單，TO-263-3，D2Pak
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
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IXFA3N120TRL 技術(shù)參數(shù)詳情：
- IXYS公司完整型號: IXFA3N120TRL
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 功能總體簡述: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
- 系列: HiPerFET?
- FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能: 標準
- 漏源極電壓（Vdss）: 1200V（1.2kV）
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 3A（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 4.5 歐姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 1.5mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 39nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 1050pF @ 25V
- 功率 - 最大值: 200W
- 安裝類型: 表面貼裝
- 封裝/外殼: TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝: TO-263
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