產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠(chǎng)商：IXYS
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB
- 技術(shù)參數(shù)：DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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IXYA20N120A4HV 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IXYA20N120A4HV
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購(gòu)）
- 描述：DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：GenX4?, XPT?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類(lèi)型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：80A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：135A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，20A
- 功率-最大值：375W
- 開(kāi)關(guān)能量：3.6mJ（開(kāi)），2.75mJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：46nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：12ns/275ns
- 測(cè)試條件：800mV，20A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：54ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB
- IXYA20N120A4HV優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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