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- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數(shù)：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
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BSO615CT 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產品型號：BSO615CT
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：SIPMOS?
- 零件狀態(tài)：停產
- FET類型：N 和 P 溝道
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3.1A，2A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：110 毫歐 @ 3.1A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：380pF @ 25V
- 功率-最大值：2W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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