產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-TSSOP（0.173，4.40mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
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PMWD19UN,518 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：PMWD19UN,518
- 制造商：NXP（恩智浦半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：TrenchMOS?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：5.6A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：23 毫歐 @ 3.5A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：700mV @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：28nC @ 5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1478pF @ 10V
- 功率-最大值：2.3W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-TSSOP（0.173，4.40mm 寬）
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