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- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：HiP247? 長引線
- 技術參數：TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
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SCTWA90N65G2V-4 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：SCTWA90N65G2V-4
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：SiC（碳化硅結晶體管）
- 漏源電壓（Vdss）：650V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：119A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 50A，18V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：157nC @ 18V
- Vgs（最大值）：+22V，-10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3380pF @ 400V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：565W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 器件封裝：HiP247? 長引線
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