產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠(chǎng)商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 18A 60W DPAK
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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STGD10NC60SDT4 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGD10NC60SDT4
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 600V 18A 60W DPAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：PowerMESH?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類(lèi)型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：18A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：25A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.65V @ 15V，5A
- 功率-最大值：60W
- 開(kāi)關(guān)能量：60μJ（開(kāi)），340μJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：18nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：19ns/160ns
- 測(cè)試條件：390V，5A，10歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：22ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63
- STGD10NC60SDT4優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)ST代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)