- 制造廠商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 類(lèi)別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
- 技術(shù)參數(shù):IGBT BIPO 600V 3A TO220
- 豐富的ST公司產(chǎn)品,ST芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
STGP3HF60HD 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):STGP3HF60HD
- 制造商:ST意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT BIPO 600V 3A TO220
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- IGBT類(lèi)型:-
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):7.5A
- 電流-集電極脈沖(Icm):18A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.95V @ 15V,1.5A
- 功率-最大值:38W
- 開(kāi)關(guān)能量:19μJ(開(kāi)),12μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷:12nC
- 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:11ns/60ns
- 測(cè)試條件:400V,1.5A,100 歐姆,15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):85ns
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:通孔
- 封裝:TO-220-3
- STGP3HF60HD優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)ST代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)