- 制造廠商:TI
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-WDFN
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
- 豐富的TI公司產(chǎn)品,TI芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價格
CSD85301Q2T 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:CSD85301Q2T
- 制造商:TI公司(德州儀器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:NexFET?
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:2 N-通道(雙)
- FET功能:邏輯電平柵極,5V 驅(qū)動
- 漏源電壓(Vdss):20V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):5A
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):27 毫歐 @ 5A,4.5V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):5.4nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):469pF @ 10V
- 功率-最大值:2.3W
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:6-WDFN
- CSD85301Q2T優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的TI芯片采購服務(wù)平臺。
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