- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:單路IGBT,D2PAK
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 430V 18A 115W D2PAK3
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NGB18N40ACLBT4G 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:NGB18N40ACLBT4G
- 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
- 描述:IGBT 430V 18A 115W D2PAK3
- 系列:-
- IGBT 類型:-
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):430V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):18A
- Current - Collector Pulsed (Icm):50A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.5V @ 4V,15A
- 功率 - 最大值:115W
- Switching Energy:-
- 輸入類型:邏輯
- Gate Charge:-
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:-
- Test Condition:-
- 反向恢復時間 (trr):-
- 產(chǎn)品封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 安裝類型:表面貼裝
- 供應商器件封裝:D2PAK
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