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產品參考圖片
NTTFD2D8N03P1E 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:12-PowerWQFN
  • 技術參數:MOSFET N-CH 30V 12WQFN
  • 豐富的安森美公司產品,安森美芯片采購平臺
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NTTFD2D8N03P1E 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:NTTFD2D8N03P1E
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 12WQFN
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:PowerTrench?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):16.1A(Ta),80A(Tc)
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):2.5 毫歐 @ 18A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 400μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):20.8nC @ 10V,20.5nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1500pF @ 15V,1521pF @ 15V
  • 功率-最大值:1.04W(Ta),26W(Ta)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:12-PowerWQFN
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