產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerTDFN
- 技術(shù)參數(shù)：T8 80V LL SO8FL DS
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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NVMFD6H840NLT1G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NVMFD6H840NLT1G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：T8 80V LL SO8FL DS
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：80V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：14A（Ta），74A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：6.9 毫歐 @ 20A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 96μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2002pF @ 40V
- 功率-最大值：-
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerTDFN
- NVMFD6H840NLT1G優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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