產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，8-WDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
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NVTFS5826NLTWG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NVTFS5826NLTWG
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：7.6A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：24 毫歐 @ 10A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：850pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：8-WDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：8-WDFN（3.3x3.3）
- NVTFS5826NLTWG優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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