產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：-
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT PCISL9R18120W
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PCISL9R18120W 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：PCISL9R18120W
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT PCISL9R18120W
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：最後搶購
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：-
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
- 電流-集電極脈沖(Icm)：-
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：-
- 功率-最大值：-
- 開關(guān)能量：-
- 輸入類型：-
- 柵極電荷：-
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：-
- 測試條件：-
- 反向恢復(fù)時間(trr)：-
- 工作溫度：-
- 安裝類型：-
- 封裝：-
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